casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI139N08N3GHKSA1
codice articolo del costruttore | IPI139N08N3GHKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI139N08N3GHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI139N08N3GHKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI139N08N3GHKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI139N08N3GHKSA1-FT |
SPW17N80C3A
Infineon Technologies
SPW17N80C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW20N60CFDFKSA1
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SPW20N60S5FKSA1
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SPW24N60CFDFKSA1
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SPW32N50C3FKSA1
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SPW35N60C3FKSA1
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SPW35N60CFDFKSA1
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SPW47N60CFDFKSA1
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SPW47N65C3FKSA1
Infineon Technologies
A54SX32A-TQG176M
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M1AFS250-FG256
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EP4SE360H29I3
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