casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI139N08N3GHKSA1
codice articolo del costruttore | IPI139N08N3GHKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPI139N08N3GHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI139N08N3GHKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI139N08N3GHKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI139N08N3GHKSA1-FT |
SPW17N80C3A
Infineon Technologies
SPW17N80C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW20N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW20N60S5FKSA1
Infineon Technologies
SPW24N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW32N50C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW35N60C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW35N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW47N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW47N65C3FKSA1
Infineon Technologies
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation