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Infineon Technologies IPI12CNE8N G

Numero parte MFG
IPI12CNE8N G
quantità disponibile
31610 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IPI12CNE8N G specificazioni

codice articolo del costruttore IPI12CNE8N G
Numero di parte futuro FT-IPI12CNE8N G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPI12CNE8N G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 85V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 67A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.6 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 83µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4340pF @ 40V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO262-3
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI12CNE8N G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPI12CNE8N G-FT

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