casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW65R065C7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPW65R065C7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPW65R065C7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C7 |
IPW65R065C7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 17.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 850µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3020pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 171W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW65R065C7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW65R065C7XKSA1-FT |
IPI126N10N3 G
Infineon Technologies
IPI12CN10N G
Infineon Technologies
IPI12CNE8N G
Infineon Technologies
IPI139N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI147N12N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI14N03LA
Infineon Technologies
IPI16CN10N G
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IPI16CNE8N G
Infineon Technologies
IPI180N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI200N15N3 G
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel