casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPW60R070CFD7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPW60R070CFD7XKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPW60R070CFD7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CFD7 |
IPW60R070CFD7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 15.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 760µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2721pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R070CFD7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPW60R070CFD7XKSA1-FT |
IPI11N03LA
Infineon Technologies
IPI120N04S302AKSA1
Infineon Technologies
IPI120N04S401AKSA1
Infineon Technologies
IPI120N04S402AKSA1
Infineon Technologies
IPI126N10N3 G
Infineon Technologies
IPI12CN10N G
Infineon Technologies
IPI12CNE8N G
Infineon Technologies
IPI139N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI147N12N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI14N03LA
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel