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Infineon Technologies IPS80R2K4P7AKMA1

Name: IPS80R2K4P7AKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPS80R2K4P7AKMA1
Price: 0.8 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (104 reviews)

Numero parte MFG: IPS80R2K4P7AKMA1

quantità disponibile: 92310 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.8

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: CoolMOS™ P7 MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPS80R2K4P7AKMA1.pdf

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IPS80R2K4P7AKMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPS80R2K4P7AKMA1
Numero di parte futuro	FT-IPS80R2K4P7AKMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™ P7
IPS80R2K4P7AKMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 500V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	22W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO251-3
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPS80R2K4P7AKMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPS80R2K4P7AKMA1-FT

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