casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPS80R2K4P7AKMA1
codice articolo del costruttore | IPS80R2K4P7AKMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPS80R2K4P7AKMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPS80R2K4P7AKMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 800mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 500V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 22W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS80R2K4P7AKMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPS80R2K4P7AKMA1-FT |
IPB017N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB017N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB019N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB023N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB025N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB025N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB034N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB036N12N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB039N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB039N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel