casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB034N06N3GATMA1
codice articolo del costruttore | IPB034N06N3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB034N06N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB034N06N3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 93µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-7 |
Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB034N06N3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB034N06N3GATMA1-FT |
IRFB4510GPBF
Infineon Technologies
IRFB4610
Infineon Technologies
IRFB4710PBF
Infineon Technologies
IRFB7434GPBF
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IRFB7437GPBF
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IRFB812PBF
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
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A1425A-1PQ100I
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XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
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