casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB034N06N3GATMA1
codice articolo del costruttore | IPB034N06N3GATMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPB034N06N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB034N06N3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 93µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-7 |
Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB034N06N3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB034N06N3GATMA1-FT |
IRFB4510GPBF
Infineon Technologies
IRFB4610
Infineon Technologies
IRFB4710PBF
Infineon Technologies
IRFB7434GPBF
Infineon Technologies
IRFB7437GPBF
Infineon Technologies
IRFB7440GPBF
Infineon Technologies
IRFB7734PBF
Infineon Technologies
IRFB7740PBF
Infineon Technologies
IRFB7746PBF
Infineon Technologies
IRFB812PBF
Infineon Technologies
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel