casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB023N06N3GATMA1
codice articolo del costruttore | IPB023N06N3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB023N06N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB023N06N3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 140A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 141µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 198nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 16000pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-7 |
Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB023N06N3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB023N06N3GATMA1-FT |
IRFB4310ZGPBF
Infineon Technologies
IRFB4321GPBF
Infineon Technologies
IRFB4410
Infineon Technologies
IRFB4510GPBF
Infineon Technologies
IRFB4610
Infineon Technologies
IRFB4710PBF
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
IRFB7437GPBF
Infineon Technologies
IRFB7440GPBF
Infineon Technologies
IRFB7734PBF
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel