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Infineon Technologies IPB036N12N3GATMA1

Numero parte MFG
IPB036N12N3GATMA1
quantità disponibile
40500 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 3.05684
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IPB036N12N3GATMA1
Numero di parte futuro FT-IPB036N12N3GATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPB036N12N3GATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 211nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13800pF @ 60V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-7
Pacchetto / caso TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB036N12N3GATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPB036N12N3GATMA1-FT

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