casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB019N08N3GATMA1
codice articolo del costruttore | IPB019N08N3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB019N08N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB019N08N3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14200pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-7 |
Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB019N08N3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB019N08N3GATMA1-FT |
IRFB4310GPBF
Infineon Technologies
IRFB4310ZGPBF
Infineon Technologies
IRFB4321GPBF
Infineon Technologies
IRFB4410
Infineon Technologies
IRFB4510GPBF
Infineon Technologies
IRFB4610
Infineon Technologies
IRFB4710PBF
Infineon Technologies
IRFB7434GPBF
Infineon Technologies
IRFB7437GPBF
Infineon Technologies
IRFB7440GPBF
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel