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codice articolo del costruttore | IPP80P03P4L04AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP80P03P4L04AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP80P03P4L04AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 253µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +5V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 137W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80P03P4L04AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP80P03P4L04AKSA1-FT |
IRFP4004PBF
Infineon Technologies
IRFP150MPBF
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IRF200P222
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XC3S1400AN-4FGG484C
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10M08DCF484C8G
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5SGXMA7H3F35I3
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
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5AGTFC7H3F35I3G
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EP1C4F400C8
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