casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFP250MPBF
codice articolo del costruttore | IRFP250MPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFP250MPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFP250MPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 123nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2159pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFP250MPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFP250MPBF-FT |
SPI80N04S2-04
Infineon Technologies
SPI80N06S-08
Infineon Technologies
SPI80N06S2-07
Infineon Technologies
SPI80N06S2-08
Infineon Technologies
SPI80N06S2L-05
Infineon Technologies
SPI80N06S2L-11
Infineon Technologies
SPI80N08S2-07
Infineon Technologies
SPI80N08S2-07R
Infineon Technologies
SPI80N10L
Infineon Technologies
SPD100N03S2L-04
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
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EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
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EP1C20F324I7N
Intel