casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP80N06S407AKSA1
codice articolo del costruttore | IPP80N06S407AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP80N06S407AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP80N06S407AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N06S407AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP80N06S407AKSA1-FT |
IPP60R099CPAAKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R125CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R160C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel