casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP60R099CPXKSA1
codice articolo del costruttore | IPP60R099CPXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP60R099CPXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPP60R099CPXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 255W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP60R099CPXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP60R099CPXKSA1-FT |
IPP080N03L G
Infineon Technologies
IPP080N06N G
Infineon Technologies
IPP084N06L3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP084N06L3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP086N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP08CN10L G
Infineon Technologies
IPP08CN10N G
Infineon Technologies
IPP08CNE8N G
Infineon Technologies
IPP093N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP096N03L G
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
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EP1C20F324I7N
Intel