casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP60R125CPXKSA1
codice articolo del costruttore | IPP60R125CPXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP60R125CPXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPP60R125CPXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP60R125CPXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP60R125CPXKSA1-FT |
IPP084N06L3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP086N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP08CN10L G
Infineon Technologies
IPP08CN10N G
Infineon Technologies
IPP08CNE8N G
Infineon Technologies
IPP093N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP096N03L G
Infineon Technologies
IPP09N03LA
Infineon Technologies
IPP100N04S204AKSA1
Infineon Technologies
IPP100N04S204AKSA2
Infineon Technologies
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel