casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP60R180C7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPP60R180C7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP60R180C7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C7 |
IPP60R180C7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 5.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 260µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 68W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP60R180C7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP60R180C7XKSA1-FT |
IPP093N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP096N03L G
Infineon Technologies
IPP09N03LA
Infineon Technologies
IPP100N04S204AKSA1
Infineon Technologies
IPP100N04S204AKSA2
Infineon Technologies
IPP100N04S2L03AKSA1
Infineon Technologies
IPP100N04S2L03AKSA2
Infineon Technologies
IPP100N04S303AKSA1
Infineon Technologies
IPP100N04S4H2AKSA1
Infineon Technologies
IPP100N06S205AKSA1
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel