casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP60R160C6XKSA1
codice articolo del costruttore | IPP60R160C6XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP60R160C6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPP60R160C6XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 11.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 750µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1660pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 176W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP60R160C6XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP60R160C6XKSA1-FT |
IPP08CN10L G
Infineon Technologies
IPP08CN10N G
Infineon Technologies
IPP08CNE8N G
Infineon Technologies
IPP093N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP096N03L G
Infineon Technologies
IPP09N03LA
Infineon Technologies
IPP100N04S204AKSA1
Infineon Technologies
IPP100N04S204AKSA2
Infineon Technologies
IPP100N04S2L03AKSA1
Infineon Technologies
IPP100N04S2L03AKSA2
Infineon Technologies
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation