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codice articolo del costruttore | IPP70N04S406AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP70N04S406AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP70N04S406AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 26µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2550pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 58W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP70N04S406AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP70N04S406AKSA1-FT |
IRFP4127PBF
Infineon Technologies
IRFP4004PBF
Infineon Technologies
IRFP150MPBF
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IRF200P222
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IRFP250MPBF
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IRFP4332PBF
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IRLP3034PBF
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IRF100P219XKMA1
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IRFP4227PBF
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IRF100P218XKMA1
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
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5SGXEABN2F45I2N
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XC6SLX45-N3CSG324C
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XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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10AX090N4F40I3LG
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EP2C20Q240C8N
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