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Infineon Technologies IPP60R1K4C6XKSA1

Name: IPP60R1K4C6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP60R1K4C6XKSA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (752 reviews)

Numero parte MFG: IPP60R1K4C6XKSA1

quantità disponibile: 70170 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: CoolMOS™ MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPP60R1K4C6XKSA1.pdf

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IPP60R1K4C6XKSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPP60R1K4C6XKSA1
Numero di parte futuro	FT-IPP60R1K4C6XKSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™
IPP60R1K4C6XKSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.1nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	28.4W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP60R1K4C6XKSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPP60R1K4C6XKSA1-FT

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