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codice articolo del costruttore | IPP100N04S204AKSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP100N04S204AKSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP100N04S204AKSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 172nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP100N04S204AKSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP100N04S204AKSA2-FT |
SPP08P06PHXKSA1
Infineon Technologies
IPP093N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
SPP15P10PLHXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP065N03LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R380E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP90R800C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R310CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPP06N60C3HKSA1
Infineon Technologies
BTS110NKSA1
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel