casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP09N03LA
codice articolo del costruttore | IPP09N03LA |
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Numero di parte futuro | FT-IPP09N03LA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP09N03LA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1642pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 63W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP09N03LA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP09N03LA-FT |
IPP65R190E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP80N08S2L07AKSA1
Infineon Technologies
SPP08P06PHXKSA1
Infineon Technologies
IPP093N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
SPP15P10PLHXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP065N03LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R380E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP90R800C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R310CFDXKSA1
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel