casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP100N06S2L05AKSA1
codice articolo del costruttore | IPP100N06S2L05AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP100N06S2L05AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP100N06S2L05AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5660pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP100N06S2L05AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP100N06S2L05AKSA1-FT |
IPP65R310CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPP06N60C3HKSA1
Infineon Technologies
BTS110NKSA1
Infineon Technologies
BTS113AE3064NKSA1
Infineon Technologies
BTS113ANKSA1
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BTS115ANKSA1
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BTS121ANKSA1
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BUZ30A
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BUZ31
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BUZ31 E3046
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