casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP100N04S2L03AKSA2
codice articolo del costruttore | IPP100N04S2L03AKSA2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPP100N04S2L03AKSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPP100N04S2L03AKSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP100N04S2L03AKSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP100N04S2L03AKSA2-FT |
SPP15P10PLHXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP065N03LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R380E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP90R800C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R310CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPP06N60C3HKSA1
Infineon Technologies
BTS110NKSA1
Infineon Technologies
BTS113AE3064NKSA1
Infineon Technologies
BTS113ANKSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel