codice articolo del costruttore | BUZ31 |
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Numero di parte futuro | FT-BUZ31 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BUZ31 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 9A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1120pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 95W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUZ31 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUZ31-FT |
SPP80P06PHXKSA1
Infineon Technologies
IPP030N10N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP90R1K2C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP17N25S3100AKSA1
Infineon Technologies
IPP072N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP70N10S312AKSA1
Infineon Technologies
IPP147N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP075N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP320N20N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP111N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel