casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BTS113ANKSA1
codice articolo del costruttore | BTS113ANKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BTS113ANKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEMPFET® |
BTS113ANKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | P-TO220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS113ANKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BTS113ANKSA1-FT |
BTS247ZE3043AKSA1
Infineon Technologies
IPP052NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
SPP80P06PHXKSA1
Infineon Technologies
IPP030N10N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP90R1K2C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP17N25S3100AKSA1
Infineon Technologies
IPP072N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP70N10S312AKSA1
Infineon Technologies