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Infineon Technologies BTS113ANKSA1

Numero parte MFG
BTS113ANKSA1
quantità disponibile
81930 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
TEMPFET® MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-BTS113ANKSA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TEMPFET®
BTS113ANKSA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore P-TO220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BTS113ANKSA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BTS113ANKSA1-FT

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