casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUZ31 E3046
codice articolo del costruttore | BUZ31 E3046 |
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Numero di parte futuro | FT-BUZ31 E3046 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BUZ31 E3046 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 9A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1120pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 95W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUZ31 E3046 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUZ31 E3046-FT |
IPP030N10N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP90R1K2C3XKSA1
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IPP111N15N3GXKSA1
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