casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BTS113AE3064NKSA1
codice articolo del costruttore | BTS113AE3064NKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BTS113AE3064NKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEMPFET® |
BTS113AE3064NKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | P-TO220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS113AE3064NKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BTS113AE3064NKSA1-FT |
BTS244Z E3043
Infineon Technologies
BTS247ZE3043AKSA1
Infineon Technologies
IPP052NE7N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
SPP80P06PHXKSA1
Infineon Technologies
IPP030N10N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP90R1K2C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP17N25S3100AKSA1
Infineon Technologies
IPP072N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel