casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPL60R125P7AUMA1
codice articolo del costruttore | IPL60R125P7AUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPL60R125P7AUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPL60R125P7AUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 8.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1544pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 111W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-VSON-4 |
Pacchetto / caso | 4-PowerTSFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL60R125P7AUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPL60R125P7AUMA1-FT |
IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
IPA100N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA126N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA180N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA50R650CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel