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Infineon Technologies IPA100N08N3GXKSA1

Name: IPA100N08N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA100N08N3GXKSA1
Price: 0.889504 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (38 reviews)

Numero parte MFG: IPA100N08N3GXKSA1

quantità disponibile: 73000 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.889504

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPA100N08N3GXKSA1.pdf

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IPA100N08N3GXKSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPA100N08N3GXKSA1
Numero di parte futuro	FT-IPA100N08N3GXKSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IPA100N08N3GXKSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 46µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2410pF @ 40V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	35W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO220-FP
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPA100N08N3GXKSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPA100N08N3GXKSA1-FT

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