casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA60R099C7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPA60R099C7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA60R099C7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C7 |
IPA60R099C7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 9.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 490µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1819pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 33W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R099C7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA60R099C7XKSA1-FT |
BSP88H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP88L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP89 E6327
Infineon Technologies
BSP89L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP92P E6327
Infineon Technologies
BSP92PL6327HTSA1
Infineon Technologies
SPN01N60C3
Infineon Technologies
SPN02N60C3
Infineon Technologies
SPN02N60C3 E6433
Infineon Technologies
SPN02N60S5
Infineon Technologies
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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EP3SE260F1517C2N
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LFE2-20SE-5FN484C
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LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
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