casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA50R800CEXKSA2
codice articolo del costruttore | IPA50R800CEXKSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA50R800CEXKSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPA50R800CEXKSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 1.5A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 26.4W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA50R800CEXKSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA50R800CEXKSA2-FT |
BSP615S2L
Infineon Technologies
BSP88E6327
Infineon Technologies
BSP88H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP88L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP89 E6327
Infineon Technologies
BSP89L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP92P E6327
Infineon Technologies
BSP92PL6327HTSA1
Infineon Technologies
SPN01N60C3
Infineon Technologies
SPN02N60C3
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel