casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA126N10N3GXKSA1
codice articolo del costruttore | IPA126N10N3GXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA126N10N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPA126N10N3GXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 45µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 33W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA126N10N3GXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA126N10N3GXKSA1-FT |
BSP373NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP603S2LHUMA1
Infineon Technologies
BSP613P
Infineon Technologies
BSP613PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP613PL6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP615S2L
Infineon Technologies
BSP88E6327
Infineon Technologies
BSP88H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP88L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP89 E6327
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel