casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI90R340C3XKSA1
codice articolo del costruttore | IPI90R340C3XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI90R340C3XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPI90R340C3XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 9.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI90R340C3XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI90R340C3XKSA1-FT |
IPI100P03P3L-04
Infineon Technologies
IPI110N20N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI111N15N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI11N03LA
Infineon Technologies
IPI120N04S302AKSA1
Infineon Technologies
IPI120N04S401AKSA1
Infineon Technologies
IPI120N04S402AKSA1
Infineon Technologies
IPI126N10N3 G
Infineon Technologies
IPI12CN10N G
Infineon Technologies
IPI12CNE8N G
Infineon Technologies
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
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EP2AGX125DF25C5N
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5SGXMA7N2F45I2N
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5SGXMA5H2F35C2LN
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EP3SL150F780C4
Intel