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Infineon Technologies IPI111N15N3GAKSA1

Numero parte MFG
IPI111N15N3GAKSA1
quantità disponibile
24470 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.244816
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™ MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IPI111N15N3GAKSA1
Numero di parte futuro FT-IPI111N15N3GAKSA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPI111N15N3GAKSA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 83A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1 mOhm @ 83A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 160µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3230pF @ 75V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 214W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO262-3
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI111N15N3GAKSA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPI111N15N3GAKSA1-FT

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