casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI111N15N3GAKSA1
codice articolo del costruttore | IPI111N15N3GAKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI111N15N3GAKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI111N15N3GAKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 83A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1 mOhm @ 83A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 160µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3230pF @ 75V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI111N15N3GAKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI111N15N3GAKSA1-FT |
IPW90R500C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW07N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW11N60C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW11N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW11N60S5FKSA1
Infineon Technologies
SPW12N50C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW15N60C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW15N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW17N80C3A
Infineon Technologies
SPW17N80C3FKSA1
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel