casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI90R1K0C3XKSA1
codice articolo del costruttore | IPI90R1K0C3XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI90R1K0C3XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPI90R1K0C3XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI90R1K0C3XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI90R1K0C3XKSA1-FT |
IPI100N08S207AKSA1
Infineon Technologies
IPI100N10S305AKSA1
Infineon Technologies
IPI100P03P3L-04
Infineon Technologies
IPI110N20N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI111N15N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI11N03LA
Infineon Technologies
IPI120N04S302AKSA1
Infineon Technologies
IPI120N04S401AKSA1
Infineon Technologies
IPI120N04S402AKSA1
Infineon Technologies
IPI126N10N3 G
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel