casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI100N10S305AKSA1
codice articolo del costruttore | IPI100N10S305AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI100N10S305AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI100N10S305AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 176nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11570pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI100N10S305AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI100N10S305AKSA1-FT |
IPW90R1K0C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW90R1K2C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW90R340C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW90R500C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW07N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW11N60C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW11N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW11N60S5FKSA1
Infineon Technologies
SPW12N50C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW15N60C3FKSA1
Infineon Technologies
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel