casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI80N06S4L07AKSA1
codice articolo del costruttore | IPI80N06S4L07AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI80N06S4L07AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI80N06S4L07AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5680pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI80N06S4L07AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI80N06S4L07AKSA1-FT |
IPI100N04S303AKSA1
Infineon Technologies
IPI100N04S4H2AKSA1
Infineon Technologies
IPI100N06S3-03
Infineon Technologies
IPI100N06S3-04
Infineon Technologies
IPI100N06S3L-03
Infineon Technologies
IPI100N08N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI100N08S207AKSA1
Infineon Technologies
IPI100N10S305AKSA1
Infineon Technologies
IPI100P03P3L-04
Infineon Technologies
IPI110N20N3GAKSA1
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel