casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI100N08N3GHKSA1
codice articolo del costruttore | IPI100N08N3GHKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI100N08N3GHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI100N08N3GHKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 46A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI100N08N3GHKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI100N08N3GHKSA1-FT |
IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW90R120C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW90R1K0C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW90R1K2C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW90R340C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW90R500C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW07N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW11N60C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW11N60CFDFKSA1
Infineon Technologies
SPW11N60S5FKSA1
Infineon Technologies
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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EP3SE260F1517C2N
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
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