casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPI50R250CPXKSA1
codice articolo del costruttore | IPI50R250CPXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI50R250CPXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPI50R250CPXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 520µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1420pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 114W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI50R250CPXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI50R250CPXKSA1-FT |
BSB053N03LP G
Infineon Technologies
BSB104N08NP3GXUSA1
Infineon Technologies
BSB165N15NZ3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB280N15NZ3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF024N03LT3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF030NE2LQXUMA1
Infineon Technologies
BSF035NE2LQXUMA1
Infineon Technologies
BSF045N03MQ3 G
Infineon Technologies
BSF050N03LQ3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF053N03LT G
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel