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codice articolo del costruttore | IPI45N06S3L-13 |
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Numero di parte futuro | FT-IPI45N06S3L-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPI45N06S3L-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI45N06S3L-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPI45N06S3L-13-FT |
BSB028N06NN3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB008NE2LXXUMA1
Infineon Technologies
BSB012N03LX3 G
Infineon Technologies
BSB012NE2LX
Infineon Technologies
BSB012NE2LXIXUMA1
Infineon Technologies
BSB015N04NX3GXUMA1
Infineon Technologies
BSB017N03LX3 G
Infineon Technologies
BSB019N03LX G
Infineon Technologies
BSB024N03LX G
Infineon Technologies
BSB044N08NN3GXUMA1
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel