casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSB019N03LX G
codice articolo del costruttore | BSB019N03LX G |
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Numero di parte futuro | FT-BSB019N03LX G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSB019N03LX G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 174A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Pacchetto / caso | 3-WDSON |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSB019N03LX G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSB019N03LX G-FT |
IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPU80R1K4P7AKMA1
Infineon Technologies
IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
IPL60R199CPAUMA1
Infineon Technologies
IPL60R299CPAUMA1
Infineon Technologies
IPL60R385CPAUMA1
Infineon Technologies
SPW20N60C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW47N60C3FKSA1
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel