casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPDH5N03LA G
codice articolo del costruttore | IPDH5N03LA G |
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Numero di parte futuro | FT-IPDH5N03LA G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPDH5N03LA G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 35µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2653pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPDH5N03LA G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPDH5N03LA G-FT |
IPD600N25N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD600N25N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R1K4C6
Infineon Technologies
IPD60R1K4C6ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R280CFD7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R2K0C6BTMA1
Infineon Technologies
IPD60R2K1CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD60R380C6
Infineon Technologies
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel