casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD60R2K1CEAUMA1
codice articolo del costruttore | IPD60R2K1CEAUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD60R2K1CEAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPD60R2K1CEAUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 760mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 38W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R2K1CEAUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD60R2K1CEAUMA1-FT |
IPD12CN10NGATMA1
Infineon Technologies
IPD12CN10NGBUMA1
Infineon Technologies
IPD12CNE8N G
Infineon Technologies
IPD12N03LB G
Infineon Technologies
IPD135N03LGXT
Infineon Technologies
IPD135N08N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD13N03LA G
Infineon Technologies
IPD144N06NGBTMA1
Infineon Technologies
IPD14N06S280ATMA1
Infineon Technologies
IPD14N06S280ATMA2
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel