casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD600N25N3GATMA1
codice articolo del costruttore | IPD600N25N3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPD600N25N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPD600N25N3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD600N25N3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD600N25N3GATMA1-FT |
IPD105N04LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD10N03LA
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IPD10N03LA G
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IPD110N12N3GATMA1
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IPD110N12N3GBUMA1
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IPD122N10N3GATMA1
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IPD122N10N3GBTMA1
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IPD127N06LGBTMA1
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