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Infineon Technologies IPD60R1K4C6

Numero parte MFG
IPD60R1K4C6
quantità disponibile
17420 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
CoolMOS™ MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IPD60R1K4C6 specificazioni

codice articolo del costruttore IPD60R1K4C6
Numero di parte futuro FT-IPD60R1K4C6
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™
IPD60R1K4C6 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 28.4W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPD60R1K4C6 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPD60R1K4C6-FT

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