casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPD60R170CFD7ATMA1
codice articolo del costruttore | IPD60R170CFD7ATMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPD60R170CFD7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CFD7 |
IPD60R170CFD7ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 300µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1199pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 76W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R170CFD7ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPD60R170CFD7ATMA1-FT |
IPD10N03LA G
Infineon Technologies
IPD110N12N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD110N12N3GBUMA1
Infineon Technologies
IPD122N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD122N10N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD127N06LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD12CN10NGATMA1
Infineon Technologies
IPD12CN10NGBUMA1
Infineon Technologies
IPD12CNE8N G
Infineon Technologies
IPD12N03LB G
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel