casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA60R600P7SXKSA1
codice articolo del costruttore | IPA60R600P7SXKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA60R600P7SXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPA60R600P7SXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 363pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 21W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R600P7SXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA60R600P7SXKSA1-FT |
BSP135L6433HTMA1
Infineon Technologies
BSP135L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSP149 E6327
Infineon Technologies
BSP149 E6906
Infineon Technologies
BSP149L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP149L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSP170PE6327
Infineon Technologies
BSP170PE6327T
Infineon Technologies
BSP170PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP171PE6327
Infineon Technologies
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel