casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSP170PE6327
codice articolo del costruttore | BSP170PE6327 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BSP170PE6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP170PE6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP170PE6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSP170PE6327-FT |
IPU05N03LA
Infineon Technologies
IPU060N03L G
Infineon Technologies
IPU06N03LB G
Infineon Technologies
IPU075N03L G
Infineon Technologies
IPU07N03LA
Infineon Technologies
IPU090N03L G
Infineon Technologies
IPU09N03LA G
Infineon Technologies
IPU09N03LB G
Infineon Technologies
IPU103N08N3 G
Infineon Technologies
IPU105N03L G
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel