casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSP149 E6327
codice articolo del costruttore | BSP149 E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BSP149 E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP149 E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 660mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 400µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 430pF @ 25V |
Caratteristica FET | Depletion Mode |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP149 E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSP149 E6327-FT |
IPSA70R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU04N03LA
Infineon Technologies
IPU04N03LB G
Infineon Technologies
IPU050N03L G
Infineon Technologies
IPU05N03LA
Infineon Technologies
IPU060N03L G
Infineon Technologies
IPU06N03LB G
Infineon Technologies
IPU075N03L G
Infineon Technologies
IPU07N03LA
Infineon Technologies
IPU090N03L G
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel