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Infineon Technologies BSP149L6327HTSA1

Numero parte MFG
BSP149L6327HTSA1
quantità disponibile
15190 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
SIPMOS® MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore BSP149L6327HTSA1
Numero di parte futuro FT-BSP149L6327HTSA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
BSP149L6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 660mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 25V
Caratteristica FET Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT223-4
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP149L6327HTSA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSP149L6327HTSA1-FT

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