casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSP135L6433HTMA1
codice articolo del costruttore | BSP135L6433HTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSP135L6433HTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP135L6433HTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 Ohm @ 120mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 94µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 146pF @ 25V |
Caratteristica FET | Depletion Mode |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP135L6433HTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSP135L6433HTMA1-FT |
IPS65R650CEAKMA1
Infineon Technologies
IPS70R360P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
IPU04N03LA
Infineon Technologies
IPU04N03LB G
Infineon Technologies
IPU050N03L G
Infineon Technologies
IPU05N03LA
Infineon Technologies
IPU060N03L G
Infineon Technologies
IPU06N03LB G
Infineon Technologies
IPU075N03L G
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel